Human Rights Ice Права человекА {?}

LiIce :: Права человека. Получить код кнопки для установки на свой сайт.

HTML-код кнопки:

Новости Hi-Tech

Все новости Hi-Tech

28.03.2009

Атлантический океан теплеет от пыльных бурь и вулканов, а не от глобального потепления

Повышение температуры северной части Атлантического океана, особенно в тропиках, зависит не столько от глобального потепления, сколько от активности вулканов и от частоты и силы песчаных бурь в пустынях, считают авторы статьи, опубликованной в журнале Science.
Северная часть Атлантики нагревается гораздо быстрее, чем показывали различные климатические модели - примерно на четверть градуса каждые десять лет. Несмотря на то, что такая цифра кажется малозначительной, она оказывает решающие влияние на частоту и силу тропических штормов, обрушивающихся на тропические и субтропические территории.
По мнению автора статьи, Амато Эвана из Университета Висконсин-Мэдисон (США) и его коллег, причина столь быстрого нагревания океана кроется в уменьшении количества песчаных бурь в африканских пустынях, а также снижении активности вулканов, главным образом, Пинатубо на Филиппинских островах, последний раз извергавшегося в 1991 году, и мексиканского Эль-Чичон, последнее извержение которого состоялось в 1982 году.
Эти вулканы выбросили огромное количество соединений серы в атмосферу, которые образовали аэрозоли, отражающие солнечное излучение и не позволяющие ему достигать поверхности океана. Усилили эффект вулканов и сильнейшие песчаные бури, пришедшееся на разгар засухи в африканских саваннах.
В результате такого воздействия 1980-е годы были относительно холодными для тропического региона северной части Атлантического океана, однако с наступлением 90-х картина резко поменялась на противоположную, что привело к более частым и более разрушительным тропическим штормам.
К таким выводам ученые пришли, сопоставив данные космической съемки песчаных бурь и вулканических извержений с данными о скорости нагрева северной Атлантики, полученными на основании моделей.
Оказалось, что расхождения между модельными данными и данными, накопленными за 26 лет измерений, соответствуют динамике песчаных бурь и вулканической активности, определяющей почти на 70% степень нагревания тропической части северной Атлантики в последние десятилетия.
Авторы статьи считают, что описанные механизмы нагрева океана вряд ли могут быть применены в других регионах планеты, так как описанные условия уникальны именно для тропического региона северной Атлантики. Песчаные бури в африканских пустынях поднимают в воздух 260-1600 тонн пыли ежегодно, и вся эта масса переносится ветрами преимущественно в западном направлении в сторону океана.
Однако несмотря на то, что этот регион дает начало многим тропическим штормам, ежегодно уносящим жизни людей, применить открытие Эвана в климатических моделях сложно из-за непредсказуемости вулканических извержений и сложных, до сих пор непонятных процессов, управляющих песчаными бурями в Африке.
"На самом деле мы не можем знать, как непредсказуемые пыль и аэрозоли повлияют на прогнозы относительно климата будущего", - сказал Эван в интервью журналу Nature.
На частоту и силу песчаных бурь может оказать влияние глобальное потепление, способное затронуть как ветры, дующие над песками, так и растительность африканских саванн, удерживающую пустыни от дальнейшего роста.

Source: cybersecurity.ru

  • Без комментариев.
Источник: News review (новость)



28.03.2009

Международная патентная система будет упрощена

Заседавший во Всемирной организации интеллектуальной собственности (ВОИС) в Женеве Комитет международных экспертов договорился упростить структуру международной системы классификации патентов. Реформа этой системы, известной под названием система Международной патентной классификации (МПК), обеспечивает более достоверные результаты поиска и будет способствовать ее более широкому использованию ведомствами промышленной собственности.
"МПК является уникальным международным инструментом поиска патентной информации. Этот шаг в направлении упрощения классификации облегчит более широкий доступ к технологическим знаниям, хранящимся в базах данных о патентах, что является одной из основных целей ВОИС", - заявил Генеральный директор ВОИС Фрэнсис Гарри.
Система МПК подразделяет все области техники на иерархические разделы, классы, подклассы и группы. Она является незаменимым инструментом для ведомств промышленной собственности при проведении поисков в целях установления новизны изобретения или определения уровня техники в конкретной области техники. МПК также используется промышленностью для проведения поиска по патентам конкурентов, а также поиска технической информации в целях облегчения исследований и развития.
Современная структура МПК, введенная в 2006 г., состоит из базового уровня и более подробного продвинутого уровня, с различными датами публикации.
Последняя серия реформ привела к ряду фундаментальных и изменений:
* Структура МПК, начиная с января 2011 г., будет упрощена путем отмены разграничения между базовым и продвинутым уровнями. Ведомства, которые в настоящее время используют базовый уровень, смогут использовать основные группы в этой объединенной структуре. Обновленная версия МПК будет публиковаться ежегодно 1 января, при этом в случае значительного ряда изменений предусматривается возможность второй публикации.
* Развитие МПК будет ускорено с целью построения комплексной объединенной Международной патентной классификации путем последовательной интеграции местных систем классификации, в частности, таких, как классификация Соединенных Штатов Америки, Европейская классификация (ЕСLА) и FI/F Term классификация Японского патентного ведомства в соответствии с новыми рабочими процедурами.
* Новые рабочие процедуры расширят использование электронного форума, посредством которого эксперты проводят технические консультации в целях достижения большей эффективности и качества работы по пересмотру.
* Нынешняя структура и процедуры работы по пересмотру МПК будут в дальнейшем пересматриваться в 2010 г. после оценки работы за год.
Комитет экспертов отчитается перед Ассамблеей Союза МПК в сентябре 2009 г., который, как ожидается, одобрит этот пересмотр.

Source: cybersecurity.ru

  • Без комментариев.
Источник: News review (новость)



28.03.2009

Как предотвратить столкновение Земли с астероидом

Нашей Земле постоянно угрожает столкновение с одним из многочисленных астероидов или комет, которые в огромном количестве блуждают по просторам Солнечной системы. Разумеется, вероятность космической катастрофы очень невелика, однако она далеко не нулевая - в прошлом Земли уже происходили катаклизмы, приведшие к серьезным изменениям флоры и фауны планеты. Вряд ли стоит думать, что в будущем повторения подобных сценариев человечеству удастся избежать. Столкновение метеорита или кометы с Землей, если случится, может привести к гибели миллионов, а возможно, и миллиардов человек, в зависимости от места падения. Если событие неизбежно, то к нему необходимо подготовиться и попытаться предотвратить, и выработать комплекс мер, которые позволят избежать катастрофы, необходимо как можно быстрее.

lЛазер

Еще одной интересной техникой изменения траектории астероида является воздействие на него мощным лазерным импульсом. В теории флотилия из нескольких космических кораблей направится на встречу с астероидом. Поравнявшись на расстоянии около одного километра, будут приведены в действие огромные зеркала, концентрирующие солнечную энергию, и направляющие ее на солнечные батареи, тем самым обеспечивая лазерные установки необходимой энергией.
Планируется, что все восемь лазерных установок одновременно направят лазерное излучение в одну точку на поверхности астероида, расплавляя материал на поверхности и создавая тем самым небольшой "фонтан" газа. Именно он и станет движущей силой, которая совсем незначительно изменит траекторию астероида, направив его в сторону от Земли. Несмотря на то, что такая техника требует гораздо более существенных затрат, она позволяет гораздо точнее и более предсказуемо изменять скорость и направление движения опасного объекта.

Source: 3dnews.ru

  • Без комментариев.
Источник: News review (новость)



28.03.2009

Холодный "термояд": очередная претензия на открытие

Отсутствие заметного прогресса в обуздании реакции термоядерного синтеза заставляет пристально следить за исследованиями в области так называемого холодного "термояда". Очередную заявку на открытие холодного синтеза ядер сделали исследователи из центра космических и военно-морских систем США (Space and Naval Warfare Systems Center). По их утверждению, им удалось зафиксировать появление быстрых нейтронов в результате низкотемпературной реакции ядерного синтеза. В качестве доказательства на заседании Американского химического общества была представлена пластиковая пластина со следами бомбардировки нейтронов. Экспериментальная установка исследователей представляла собой емкость с электролитом из смеси хлоридов палладия, лития и окиси дейтерия. При пропускании тока палладий и дейтерий осаждались на электродах. Результаты реакции синтеза фиксировались детектором CR-39 с пластиковой пластиной. Согласно теории холодного термоядерного синтеза, во время диффузии молекулы дейтерия сталкиваются, образуя молекулы гелия. При этом высвобождаются высокоэнергетические нейтроны.

Следы распада на пластике детектора

Тем не менее, многие оппоненты скептически относятся к заявлению исследователей. Специалисты полагают, что образование "быстрых" нейтронов можно объяснить, не прибегая к теории ядерного синтеза. Стоит заметить, что в 1989 году Мартин Флейшман (Martin Fleischmann) и Стэнли Понс (Stanley Pons) уже заявляли об открытии реакции холодного "термояда". Но впоследствии их эксперимент с гарантированным результатом не удалось повторить и словосочетание холодный "термояд" приобрело налет шарлатанства.
Интересно, что на этот раз наряду с американскими исследователями на суд научного общества были представлены еще два заявления об успешных реакциях холодного синтеза. Итальянка Антонелла де Нинно (Antonella De Ninno) сообщила об образовании излишков гелия, что косвенно подтверждает реакцию. А японский исследователь Тадашико Мизуно (Tadahiko Mizuno) из университета Хоккайдо (Hokkaido University) заявил о регистрации гамма-излучения при подобном опыте.

Source: 3dnews.ru

  • Без комментариев.
Источник: News review (новость)



28.03.2009

Графеновые пленки позволят создать гибкую электронику

Профессор Бьюн Хе Хонг (Byung Hee Hong) из Передового института нанотехнологий при Сункьюнкванском университете (Sungkyunkwan University) и доктор Джа-Йонг Чу (Jae-Young Choi) из Передового технологического института компании Samsung совместно разработали новый метод создания крупноразмерных графеновых пленок, готовя почву для растягиваемых прозрачных электродов и делая производство прозрачных гибких дисплеев еще немного ближе к реальности.
Эта технология позволяет выполнить электрические цепи на крупноразмерной графеновых пленках для создания растягиваемых прозрачных электродов. Одно из направлений использования таких электродов заключается в создании образцов, которые могут принять различную форму или даже сплетены, причем неограниченных размеров. Будущие приложения этой технологии включают компьютеры в виде одежды, гибкие прозрачные дисплеи, сенсорные панели, складную электронную бумагу и трансформируемую электронику.

Графеновые пленки позволят создать гибкую электронику
Растягиваемая электронная бумага

В 2004 году исследователи из Великобритании впервые в мире разработали базовую технология производства графена. Графеновые пленки были совершенно новым материалом. Однако они были выполнены в микронном размере, что ограничивало их широкое использование в различных прогрессивных приложениях, таких как производство дисплеев и полупроводников. Для решения этой проблемы группа исследователей воспользовалась технологией химического осаждения паров (chemical vapor deposition, CVD) для получения графеновых пленок. Эти пленки выполнены уже в сантиметровом масштабе и демонстрируют более высокие электронные и механические свойства в сравнении другими графеновыми образцами, имеющими те же размеры. Эти особенности дают возможность создать гибкие электронные устройства, такие как встроенные в одежду компьютеры, еще немного раньше.

Графеновые пленки позволят создать гибкую электронику
Гибкий прозрачный дисплей

Графеновые пленки, как ожидают, позволят создать прототип складываемого дисплея. Дело в том, что графен обладает стабильной углеродной структурой и высокой химической стабильностью, что обуславливает высокие электрические свойства. Перенос электронов в графене происходит в 100 раз быстрее, чем в кремнии, тепловыделение при этом находится на низком уровне, и простая технология выполнения наношаблона позволит управлять полупроводниковыми свойствами. Следовательно множество проблем, связанных с основанными на кремнии устройствами, могут быть решены.
Исследователи создали однослойную графеновую пленку. Они использовали CVD-технику для укладки графеновых пленок на никелевую подложку. Электрические свойства полученных пленок соответствуют микронным графеновым пленкам. Эти пленки прозрачны и могут быть согнуты и растянуты без потери электрических свойств. Хонг ожидает, что прозрачные электроды станут первой областью применения графена, где он заменит оксиды индия и олова (indium tin oxide, ITO), которые часто применяются для создания прозрачных электродов в плоских дисплеях, сенсорных экранов и солнечных батарей. При этом ITO отличается хрупкостью, а графен является более гибким материалом, и он позволяет получить большую степень прозрачности.
"Samsung Electronics планирует расширить распространение связанных с графеном технологий в таких областях, как сверхвысокоскоростная память, прозрачные гибкие дисплеи и солнечные батареи нового поколения", - говорит Хонг.

Source: 3dnews.ru

  • Без комментариев.
Источник: News review (новость)



26.03.2009

Ученые обнаружили ген, регулирующий кожные процессы

Ученые из Государственного университета штата Орегон в США обнаружили ген, который, судя по всему, является основным регулятором процессов развития кожных покровов человека. По словам ученых, дальнейшее исследование обнаруженного гена позволит успешнее бороться с кожными заболеваниями, в частности с экземой или псориазом.
В процессе экспериментов ученые обнаружили, что блокировка гена CTIP2 способна спровоцировать разнообразные кожные заболевания. "Разобравшись, как данный ген работает, мы смогли бы помешать развитию многих кожных болезней", - говорят исследователи из Орегона.
Ученые говорят, что CTIP2 представляет собой транскрипционный ген, который на разных уровнях способствует процессам развития кожи, в том числе и в генерации защитного слоя - эпителия. "Пока можно утверждать, что данный ген играет ключевую роль в биологическом синтезе липидов, которые связаны не только с заболеваниями, но также с общим процессом старения кожи, возникновением морщин и других процессов", - рассказывает Аруп Индра, помощник профессора кафедра фармакологии в университете.
Данные выводы исследователей весьма вдохновили Национальный институт здоровья США, который уже выделил на продолжениe работ 1,5 млн долларов.
"Кожа представляет собой самый большой орган человеческого тела и она же играет важнейшую роль в защите организма от инфекций, токсинов, микробов и даже солнечной радиации. Однако наша кожа не является статичной, она живет: старые клетки умирают, новые появляются. На самом деле, внешние слои кожи людей обновляются каждые 3-4 недели. Такое явление как прыщи или морщины - это зачастую отражение процессов замедления регенерации", - говорят исследователи.
За последние годы ученым удалось понять, как именно кожа развиваeтся в пространстве и времени, а совсем недавно исследователям удалось приблизится к возможности перепрограммирования взрослых клеток кожи обратно в стволовые.
"Когда вы говорите о терапии для кожных заболеваний, то эти действия зачастую можно свести к генетическому моделированию клеток кожи. Надо заставить их работать правильно. Сейчас мы полагаем, что ген CTIP2 является одним из ключевых регуляторов этого процесса", - говорит Индра.

Source: cybersecurity.ru

  • Без комментариев.
Источник: News review (новость)



© www.humanrights.liice.info 2009-2013. All rights reserved.